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离子注入式半导体(Si)探头-针对阿尔法能谱测量

1994年以来,SARAD公司致力于制造用于α/β谱测量的离子深度注入硅探测器,作为OEM部件及应用于辐射测量仪器,SARAD公司的探测器已经进行了千次改良提升

探测器的特点包括牢固设计、低本底、并且即使工作在低电压环境下依然具有优异的光谱性能;仅需10V偏置电压,探测器即可将α粒子(最大10MeV)的全部能量沉积在耗尽层内;特别为β粒子测量设计的BS型探头,其耗尽层度可达500μm

所有型号可在一般环境又可在真空条件下精确测量。入射窗涂有用于保护探头的50nmV型)或500nmE型)薄铝涂层,铝涂层更E型探头特别适合于环境测量。

探测器采用Microdot 接口(工业标准),保证了其具有其它制造商仪器的良好兼容,可选BNCSMA接口